2 NAND 技术
NAND
Samsung 、 TOSHIBA 和 Fujistu 支持NAND 技术Flash Memory 。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为 SmartMedia 卡、 CompactFlash 卡、 PCMCIA ATA 卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
NAND 技术 Flash Memory 具有以下特点：（ 1 ） 以页为单位进行读和编程操作， 1 页为 256 或 512B （字节）；以块为单位进行擦除操作， 1 块为 4K 、 8K 或 16KB 。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是 2ms ；而 NOR 技术的块擦除时间达到几百 ms 。（ 2 ） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。（ 3 ） 芯片尺寸小，引脚少，是位成本 (bit cost) 最低的固态存储器，将很快突破每兆字节 1 美元的价格限制。（ 4 ） 芯片包含有失效块，其数目******可达到 3~35 块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung 公司在 1999 年底开发出世界上第一颗 1Gb NAND 技术闪速存储器。据称这种 Flash Memory 可以存储 560 张高分辨率的照片或 32 首 CD 质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。 Samsung 采用了许多 DRAM 的工艺技术，包括首次采用 0.15μm 的制造工艺来生产这颗 Flash 。已经批量生产的 K9K1208UOM 采用 018μm 工艺，存储容量为 512Mb 。
UltraNAND
AMD 与 Fujistu 共同推出的 UltraNAND 技术，称之为先进的 NAND 闪速存储器技术。它与 NAND 标准兼容：拥有比 NAND 技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出 NAND 技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。
与 DINOR 技术一样，尽管 UltraNAND 技术具有优势，但在当前的市场上仍以 NAND 技术为主流。 UltraNAND 家族的第一个成员是 AM30LV0064 ，采用 0.25μm 制造工艺，没有失效块，可在至少 104 次擦写周期中实现无差错操作，适用于要求高可靠性的场合，如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的 AM30LV0128 容量达到 128Mb ，而在 AMD 的计划中 UltraNAND 技术 Flash Memory 将突破每兆字节 1 美元的价格限制，更显示出它对于 NOR 技术的价格优势。
3 AND 技术
AND 技术是 Hitachi 公司的专利技术。 Hitachi 和 Mitsubishi 共同支持 AND 技术的 Flash Memory 。 AND 技术与 NAND 一样采用 “ 大多数完好的存储器 ” 概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
Hitachi 和 Mitsubishi 公司采用 0.18μm 的制造工艺，并结合 MLC 技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的 512Mb-AND Flash Memory ，再利用双密度封装技术 DDP （ Double Density Package Technology ），将 2 片 512Mb 芯片叠加在 1 片 TSOP48 的封装内，形成一片 1Gb 芯片。 HN29V51211T 具有突出的低功耗特性，读电流为 2mA ，待机电流仅为 1μA ，同时由于其内部存在与块大小一致的内部 RAM 缓冲区，使得 AND 技术不像其他采用 MLC 的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。 Hitachi 公司用该芯片制造 128MB 的 MultiMedia 卡和 2MB 的 PC-ATA 卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。
4 由 EEPROM 派生的闪速存储器
EEPROM 具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以 EEPROM 做闪速存储阵列的 Flash Memory ，如 ATMEL 、 SST 的小扇区结构闪速存储器（ Small Sector Flash Memory ）和 ATMEL 的海量存储器（ Data-Flash Memory ）。这类器件具有 EEPROM 与 NOR 技术 Flash Memory 二者折衷的性能特点：（ 1 ） 读写的灵活性逊于 EEPROM ，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与 NOR 技术 Flash Memory 的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（ 2 ） 与 EEPROM 比较，具有明显的成本优势。（ 3 ） 存储密度比 EEPROM 大，但比 NOR 技术 Flash Memory 小，如 Small Sector Flash Memory 的存储密度可达到 4Mb ，而 32Mb 的 DataFlash Memory 芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。
Small Sector Flash Memory 采用并行数据总线和页结构（ 1 页为 128 或 256B ），对页执行读写操作，因而既具有 NOR 技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代 EPROM 。
DataFlash Memory 是 ATMEL 的专利产品，采用 SPI 串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有 2 个与页大小一致的 SRAM 数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。
三、 发展趋势
存储器的发展都具有更大、更小、更低的趋势，这在闪速存储器行业表现得尤为淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展，主流闪速存储器厂家采用 018μm ，甚至 0.15μm 的制造工艺。借助于先进工艺的优势， Flash Memory 的容量可以更大： NOR 技术将出现 256Mb 的器件， NAND 和 AND 技术已经有 1Gb 的器件；同时芯片的封装尺寸更小：从最初 DIP 封装，到 PSOP 、 SSOP 、 TSOP 封装，再到 BGA 封装， Flash Memory 已经变得非常纤细小巧；先进的工艺技术也决定了存储器的低电压的特性，从最初 12V 的编程电压，一步步
下降到 5V 、 3.3V 、 27V 、 1.8V 单电压供电。这符合国际上低功耗的潮流，更促进了便携式产品的发展。