闪速存储器技术现状及发展趋势

NOR 技术

AND 技术

NAND 技术

EEPROM 派生

NOR

DNOR

NAND

UltraNAND

Small Sector Flash

DataFlash

型号

Intel:
28F 12J3

Mitsubishi ： M 5M 29GB/T320

Hitachi ： HN29V51211T

Samsung ： K9K1208UOM

AMD ： 30LV0064 1

ATMEL ： AT29BV 040A

ATMEL ： AT45DB32

容量 /Mb

128

32

512

512

64

4

32

制造工艺（线宽） /μm

0.25

0.25

0.18

0.18

0.25

--

--

供电电压 /V

2.7~3.6

2.7~3.3

2.7~3.3

2.7~3.6

2.7~3.6 （ I/O 口允许 5V ）

2.7~3.6

2.7~3.6

总线结构

地址、数据采用各自独立的总线

8 位地址 / 数据总线

8 位地址 / 数据总线

地址、数据采用各自独立的总线

SPI 串行总线

内部结构

块： 128KB

引导块： 32KB
参数块： 32KB
主存储块： 64KB

块： 2KB+64B
内部 RAM 缓存： 2KB+64B

页： 512B+16B 块： 16KB+512B

页： 512B+16B 块： 8KB+256B

页： 256B

页： 528B
块： 4KB+128B SRAM 数据缓存： 528B

读操作

随机读取： 150ns

随机读取： 80ns

随机读取： 50μs
串行读取： 50ns

随机读取： 10μs
串行读取： 60ns

随机读取：
7μs
串行读取：
50ns

随机读取： 250ns

串行读取： 120μs （ Page to Buffer ）

编程操作

字节编程：
6μs
块编程： 0.8~2.4s

块编程： 4ms

块编程： 1ms

页编程： 200μs

页编程： 200μs

字节编程： 150μs 页编程： 20ms

页编程： 7ms
页重新编程（擦除 + 编程）： 10ms

擦除操作

块擦除： 1~5s

块擦除： 40ms

块擦除： 1ms

块擦除： 2ms

块擦除： 2ms

单周期内页重新编程（擦除 + 编程）

页擦除： 6ms 块擦除： 7ms

擦除次数

10^5

10^5

10^5

10^5

10^6( 差错纠正 )
10^4( 无差错纠正 )

10^5

功耗

读电流： 20~50mA
编程电流： 60~70mA
擦除电流： 70~80mA

读操作： 54mW
编程 / 擦除操作： 126mW
待机 / 自动省电模式： 0.33μW

读电流： 2mA 编程 / 擦除电流： 20mA
待机电流： 1μA

串行读电流： 10mA
编程 / 擦除电流： 15mA
待机电流： 10μA

串行读电流： 10mA 编程 / 擦除电流： 10mA
待机电流： 10μA

工作电流：
15mA
待机电流：
40μA

工作电流：
4mA
待机电流：
3μA

封装

TSOPBGA

TSOP

TSOP

TSOP

TSOPFBGA

TSOP

TSOPCBGA